Effektive Entstörung von elektromagnetischen Interferenzen (EMI)
in Anwendungen der nächsten Generation mit SiC/GaN-Halbleitern
Bei der Entwicklung von Hardware der nächsten Generation werden häufig SiC- oder GaN-Halbleiter eingesetzt, wobei deren höhere Schaltfrequenz und geringere Verluste als Hauptvorteile auf Anwendungsebene genutzt werden. Während eine Reduzierung des Volumens und ein Gewinn an Effizienz willkommen sind, müssen übermäßige elektromagnetische Störungen (EMI) angegangen werden.
Um den übermäßigen Störpegel in Anwendungen mit SiC- oder GaN-Halbleitern in den Griff zu bekommen, hat die VAC neue Lösungen zur EMI-Minderung entwickelt. Unser Whitepaper zeigt mehrere Möglichkeiten auf, um Ihre Anwendung zuverlässig frei von EMI zu halten und höchste Leistung zu erreichen.
Holen Sie das Beste aus Ihrer Anwendung heraus Fortschrittliche Halbleiter erfordern fortschrittlichen EMI-Schutz
Whitepaper für VITROPERM erhältlich Registrieren Sie sich, um ein Whitepaper über die Verringerung von EMV in Anwendungen mit Halbleitern mit großem Bandabstand zu erhalten
Halbleiter mit breitem Bandabstand - wie SiC, GaN und Ga2O3 - bieten aufgrund ihrer besonderen physikalischen Eigenschaften spezifische Vorteile in der Leistungselektronik und liefern Anhaltspunkte für die Optimierung der Effizienz passiver LC-Filter.
